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FT-CZ1806Se

6英寸半导体级单晶炉

拉晶过程全程自动化

在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,

用直拉法生长无位错单晶的设备。

 

性能优势

设备主体结构优化,提高了整机稳定性。

具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。

采用新型隔离阀。

液面高度监控系统。

高精度传动机构。

双层水冷套、可升降双层水冷屏。

 

如需获取6寸半导体级单晶炉具体数据,请向汉虹销售工程师咨询沟通。

  

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