拉晶过程全程自动化
在惰性气体环境中,用石墨加热器将硅材料熔化,
用直拉法生长无位错单晶的设备。
性能优势
大直径设计结构:匹配大直径单晶硅棒生长所需空间。
可采用连续加料装置。
采用超低碳不锈钢材料,结构稳定。
12英寸硅部件级单晶炉 | |||
型号 | FT-CZ1400Si | ||
场所 | 周围温度 | 15~30℃ | |
周围湿度 | ≤65%(无结露,腐蚀气体) | ||
洁净度 | 一般环境水平 | ||
噪音 | ≤75db | ||
地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
电源 | 额定电压 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
额定电容 | 350kVA(主副合算) | ||
额定流量 | 530A(主副合算) | ||
冷却水 | 流量范围 | 350~400L/min | |
供给压力 | 0.3~0.5MPa | ||
重量 | 设备高度 | <8800mm △ | |
设备重量 | 约15T |
△ 项数据视上炉筒高度而定,本设备数据不含磁场。
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