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汉虹半导体单晶炉

单晶炉——在惰性气体环境中，用石墨加热器将硅材料熔化，用直拉法生长无位错单晶的设备。

性能优势：

· 设备主体结构优化，提高了整机稳定性。

· 具有拉制12英寸COP FREE半导体单晶硅棒的功能。

· 采用新型隔离阀。

· 液面高度监控系统。

· 高精度传动机构。

· 双层水冷套、可升降双层4 ~ 6英寸碳化硅长晶炉（感应式）

6 ~ 8英寸碳化硅长晶炉（感应式）

PVT碳化硅长晶炉

PVT采用感应加热方式，在石英管/不锈钢腔体内以物理气相传输(PVT )法生长生长碳化硅晶体采用下进料方式，更加利于实现工厂自动化。

性能优势：

· 下进料方式，利于实现工厂自动化。热场旋转，升降式线圈，用于调整温度场。

· 自主研发异地网络远程监控操作系统，实现长晶过程的全自动控制。

· 分级权限，便于工艺参数管理；远程控制，实现无人值守。

· 温度和压力控制的稳定性；重复定位的准确性；快速抽空及长时间真空保压。布局紧凑合理，整机呈框架式结构，将电控箱、加热电源巧妙集成于一体。

· 电动升降上下料，托盘降至最低位置后可水平移出，电动升降炉盖，省时省力，安全可靠。

· 配置两路真空系统，高精度用于晶体生长的压力控制，普通精度用于抽真空。

8英寸碳化硅长晶炉(感应式/电阻式)

LPE碳化硅长晶炉

LPE法最大的优点在于扩径更容易、晶体长晶快、有机会生长出相较其他方法缺陷密度更少的晶体，并且生长温度也相较低，在更接近热力学平衡的条件下，对碳化硅晶型的控制也较好。

性能优势：

· 可根据客户的工艺情况提供半定制化服务。

· 高真空：腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着；各表面严密结合，避免产生泄漏；大抽速泵体，实现快速抽空功能；高密封性阀体，实现长时间的真空保压。

· 高精密：高精度数控加工部件；精密传动部件；高品质电控系统；实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差。

· 全自动：自主开发系统，实现全自动过程；兼容各种工艺操作流程；操作权限分级，减少误动作；自主研发异地网络远程监控SiC操作系统⸺安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制。

双面研磨/抛光机